尊敬的审查员：

您好！首先感谢您对本专利申请的认真审理，申请人经认真阅读关于“一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET”的第一次审查意见通知书后，现陈述意见如下：

申请人根据一审意见，陈述意见如下：

关于权利要求1不具备专利法第二十六条第四款的规定。

“构成所述晶体管的栅极结构”中的“晶体管”指代的是本申请的主题，即MOSFET，因此申请人将“构成所述晶体管的栅极结构”修改为“构成所述MOSFET的栅极结构”。

特此奉上，恭请核审。请您继续审查，上述论述如有不完善之处，请再给补正的机会，再次感谢审查员的辛苦劳动，并早日授权为盼。

谢谢！