1. 一种丹参控根育苗方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

1)将去除杂质后的丹参成熟种子装入网兜,用自来水流水冲洗,去掉种子表面黏液;

2)用升汞溶液消毒清洗后的丹参成熟种子,放入超净工作台内,备用;

3)配制1/2MS培养基,所述1/2MS培养基由220 mg/L CaCl2·2H2O825 mg/L NH4NO3185 mg/L MgSO4·7H2O950 mg/L KNO3111.5 mg/L MnSO4·4H2O43 mg/L ZnSO4·7H2O31 mg/L H3BO30.415 mg/L KI0.125 mg/L Na2MoO4·7H2O0.0125 mg/L CuSO4·5H2O0.0125 mg/L CoCL2·6H2O18.65 mg/L Na2-EDTA13.9 mg/L FeSO4·4H2O1 mg/L甘氨酸、0.25 mg/L盐酸吡哆醇、0.05 mg/L盐酸硫铵素、0.25 mg/L烟酸、50 mg/L肌醇、磷酸二氢钾组成,制备得到的1/2MS培养基中磷元素浓度为0.3131.25mM/L

4)对配制好的1/2MS培养基进行高温灭菌;

5)在超净台中将准备好的丹参种子接入到已灭菌的1/2MS培养基中,将其放入人工气候培养箱中培养40-60天;

6)人工气候培养箱设置参数:第一阶段:白天,温度2528℃,湿度65%70%,光照18000Lx,时间14h;第二阶段:夜晚,温度2025℃,湿度6065%,光照0,时间10h

2.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,步骤(1)中,用自来水流水冲洗12h

3.根据权利要求2所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,在自来水冲洗过程中,用纱布搓去种子表面黏液。

4.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,步骤(2)中,所述升汞溶液的浓度为0.5%1.0%,消毒时间1520min

5.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,步骤(4)中,将1/2MS培养基装入组培瓶,进行高温灭菌。

6.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,步骤(4)中,灭菌后的1/2MS培养基pH控制在5.8-6.0

7.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,所述1/2MS培养基中磷浓度为0.3130.625mM/L

8.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,步骤(5)中,在人工气候培养箱中培养45-50天。