1. 一种丹参控根育苗方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（1）将去除杂质后的丹参成熟种子装入网兜，用自来水流水冲洗，去掉种子表面黏液；

（2）用升汞溶液消毒清洗后的丹参成熟种子，放入超净工作台内，备用；

（3）配制1/2MS培养基，所述1/2MS培养基由220 mg/L CaCl₂·2H₂O、825 mg/L NH₄NO₃、185 mg/L MgSO₄·7H₂O、950 mg/L KNO₃、111.5 mg/L MnSO₄·4H₂O、43 mg/L ZnSO₄·7H₂O、31 mg/L H₃BO₃、0.415 mg/L KI、0.125 mg/L Na₂MoO₄·7H₂O、0.0125 mg/L CuSO₄·5H₂O、0.0125 mg/L CoCL₂·6H₂O、18.65 mg/L Na₂-EDTA、13.9 mg/L FeSO₄·4H₂O、1 mg/L甘氨酸、0.25 mg/L盐酸吡哆醇、0.05 mg/L盐酸硫铵素、0.25 mg/L烟酸、50 mg/L肌醇、磷酸二氢钾组成，制备得到的1/2MS培养基中磷元素浓度为0.313～1.25mM/L；

（4）对配制好的1/2MS培养基进行高温灭菌；

（5）在超净台中将准备好的丹参种子接入到已灭菌的1/2MS培养基中，将其放入人工气候培养箱中培养40-60天；

（6）人工气候培养箱设置参数：第一阶段：白天，温度25～28℃，湿度65%～70%，光照18000Lx，时间14h；第二阶段：夜晚，温度20～25℃，湿度60～65%，光照0，时间10h。

2．根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法，其特征在于，步骤（1）中，用自来水流水冲洗1～2h。

3．根据权利要求2所述的丹参控根育苗方法，其特征在于，在自来水冲洗过程中，用纱布搓去种子表面黏液。

4．根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法，其特征在于，步骤（2）中，所述升汞溶液的浓度为0.5%～1.0%，消毒时间15～20min。

5．根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法，其特征在于，步骤（4）中，将1/2MS培养基装入组培瓶，进行高温灭菌。

6.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法，其特征在于，步骤（4）中，灭菌后的1/2MS培养基pH控制在5.8-6.0。

7．根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法，其特征在于，所述1/2MS培养基中磷浓度为0.313～0.625mM/L。

8．根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法，其特征在于，步骤（5）中，在人工气候培养箱中培养45-50天。