1. 一种丹参控根育苗方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

(1)将去除杂质后的丹参成熟种子装入网兜,用自来水流水冲洗,去掉种子表面黏液;

(2)用升汞溶液消毒清洗后的丹参成熟种子,放入超净工作台内,备用;

(3)配制1/2MS培养基,所述1/2MS培养基由220 mg/L CaCl2·2H2O、825 mg/L NH4NO3、185 mg/L MgSO4·7H2O、950 mg/L KNO3、111.5 mg/L MnSO4·4H2O、43 mg/L ZnSO4·7H2O、31 mg/L H3BO3、0.415 mg/L KI、0.125 mg/L Na2MoO4·7H2O、0.0125 mg/L CuSO4·5H2O、0.0125 mg/L CoCL2·6H2O、18.65 mg/L Na2-EDTA、13.9 mg/L FeSO4·4H2O、1 mg/L甘氨酸、0.25 mg/L盐酸吡哆醇、0.05 mg/L盐酸硫铵素、0.25 mg/L烟酸、50 mg/L肌醇、磷酸二氢钾组成,制备得到的1/2MS培养基中磷元素浓度为0.313~1.25mM/L;

(4)对配制好的1/2MS培养基进行高温灭菌;

(5)在超净台中将准备好的丹参种子接入到已灭菌的1/2MS培养基中,将其放入人工气候培养箱中培养40-60天;

(6)人工气候培养箱设置参数:第一阶段:白天,温度25~28℃,湿度65%~70%,光照18000Lx,时间14h;第二阶段:夜晚,温度20~25℃,湿度60~65%,光照0,时间10h。

2.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,步骤(1)中,用自来水流水冲洗1~2h。

3.根据权利要求2所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,在自来水冲洗过程中,用纱布搓去种子表面黏液。

4.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,步骤(2)中,所述升汞溶液的浓度为0.5%~1.0%,消毒时间15~20min。

5.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,步骤(4)中,将1/2MS培养基装入组培瓶,进行高温灭菌。

6.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,步骤(4)中,灭菌后的1/2MS培养基pH控制在5.8-6.0。

7.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,所述1/2MS培养基中磷浓度为0.313~0.625mM/L。

8.根据权利要求1所述的丹参控根育苗方法,其特征在于,步骤(5)中,在人工气候培养箱中培养45-50天。